而且,利用多层量子井 (Multiple Quantum Well)的活性层结构以提高发光效率、缩短发光波长。并以铍(Be)或镁 (Mg)取代锌(Zn)做为 P 层参杂(P-type dopant)以提高元件之可靠度,在...
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首要目标在合成出以InxGa1-xN/GaN之多层量子井(Multi-Quantum well)异质结构 ..
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