1.6.5 复合氧化物半导体(composite semiconductor)31-33 1.6.6 新型半导体光催化材料33-34
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复合金属氧化物半导体 combined metal oxide semiconductor
复合氧化物半导体
Composite oxide semiconductor
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本发明属于氧化物半导体薄膜材料领域，特别涉及氧化锌与二氧化钛复合薄膜材料及其制备方法。
The invention belongs to the field of oxide semiconductor film materials, and in particular relates to a zinc oxide and titanium dioxide composite film material and a preparation method thereof.
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