基底温度（base temperature）是指水热系统或储热层底部加热带的温度，亦即地热流体自对流环底端开始上返时的温度。显然，基底温度是地热流体在水热系统中所能达到的最高温度。如果加热带的传导热流比较强，而储热层中流体对流速率又比较快，则热储流体温度大体能反映基底温度，否则将低于基底温度。基底温度可以通过热田内具有足够深度的基准孔进行实测。在地热田勘探的初期，则可以采用地球化学方法进行估算。
考察了离子束流密度和基底温度对薄膜性能的影响。
The effect of ion beam flux density and the temperature of Si substrate on the properties of the film was investigated.
对于一定的薄膜名义厚度，硅油基底温度越高，中心区域的凝聚体覆盖率越小。
The film thickness corresponding to the saturation coverage ratio decreases obviously with the increase of the substrate temperature.
由于非均匀性校正的局限性，以前的微测辐射热计需要对基底温度进行精确控制。
Because of the limitation of non uniformity correction, former microbolometer needed to control substrate temperature accurately.
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