结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) JFET
场效应晶体管(Field Effect Transistor) FET
...在考虑材料物理参数温变效应的情况下,该算法准确快速的求解得到电-热-力多物理场之间的耦合响应。这些温变的材料参数包括电导率、热导率、杨氏模量和热膨胀系数。本文利用该多物理场耦合算法系统地分析了单层TSV、多层TSV和TSV阵列在周期EMP作用下的电热力瞬态响应。并对EMP波形、TSV材料和其结构参数等影响其电热力响应的因素进行了详细分析。此外,本文利用该多物理场耦合算法对典型基于GaN的场效应管(FET)在不考虑材料温变特性的电热分析进行了重复验证。在此基础上,研究了具有不同单元个数的GaN-FET在考虑材料温变特性时的电热稳态响...
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