...的MM放电电流却比2000V的X-mM放电电流大的多，医此机器放电模型对IC的破坏力更大．1．2．3器件充电模型（Charged-Device Model，CDM） 该放电模型是指Ic因磨擦或其他因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。
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...放电电流却比2000V的X-mM放电电流大的多，医此机器放电模型对IC的破坏力更大．1．2．3器件充电模型（Charged-Device Model，CDM） 该放电模型是指Ic因磨擦或其他因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。
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