... inversion density 反转载劣密度 inversion channel 反型沟道 inversion capacitance 反型层电容 ...
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反型沟道迁移率 inversion channel mobility
A comprehensive Semi-empirical model for inversion channel electron mobility of SiC n-MOSFET is proposed on the basis of semiconductor device physics.
在器件物理的基础上,提出了一种较全面的半经验SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型。
参考来源 - SiO·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
分析了反型层的杂质分布、最大沟道电势与注入剂量、氧化层厚度和栅压等之间的关系。
The relations of impurity profile in the inversion layer and the maximum channel potential versus dose, width of SiO_2 and gate bias are analysed.
沟道区域中的反型部分在到达漏极之前的夹断点终止。
The inverted portion of the channel region ends at a pinch-off point before reaching the drain.
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