ZnO压敏材料受到外界压 力作用时，存在一个阈值电压，即压敏电压（VImA），当外加电压高于此值时即进 入击穿区，此时外加电压的微小变化会导致电流的迅速增大，这一特征使得ZnO 压敏材料在电子电路等系统...
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稳压电压敏电阻器 stabilized voltage varistor
标称压敏电压 [电] nominal varistor voltage
高压压敏电阻器 high pressure varistor
压敏电阻电压函数电阻 voltage dependent resistor
压电压力敏感器 [电子] piezoelectric pressure sensor
过电压保护压敏电阻器 [电] overvoltage protection varistor
With an increase of TiO2 addition, the apparent resistivity before heat treating, varistor voltage and non-linear exponent decrease while the apparent dielectric constant increases.
随着TiO2添加量的增大，烧结后的表观电阻率减小，压敏电压和非线性指数减小，表观介电常数增大。
参考来源 - SrTiOThe influence of resistivity of grain and grain boundary on breakdown voltage, the influence of grain size on breakdown voltage and dielectric constant are simply simulated. As a whole, almost computing data are consistent with experimental results.
对压敏电阻元件的压敏电压随晶粒电阻率和晶界电阻率的变化，以及压敏电压和介电常数随晶粒尺寸的变化规律进行了简单模拟分析，与实验结果基本一致。
参考来源 - 二氧化钛基压敏陶瓷制备及性能研究The demand of varistors which have higher nonlinear coefficient、lower nonlinear voltage and leakage current, is increasingly manifold.
对具有高非线性I-V特征、压敏电压低于5V的低电压、小功率压敏电阻器的需要正日益增长。
参考来源 - 溶胶—凝胶法制备ZnO压敏薄膜及其性能研究The experimental results show that high pressure and temperature treatment can produce large grain and effectively decrease the varistor voltage.
实验结果表明，高温高压调制可以得到充分长大的晶粒，从而显著降低氧化锌的压敏电压。
参考来源 - 高温高压处理对ZnO纳米晶微观结构和压敏特性的影响·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
此外，其较大的介电损耗、较低的压敏电压以及较小的宏观I-V非线性系数限制了其实用化。
On the other hand, the main problems for the application of CCTO are its high dielectric loss, low breakdown voltage and compatively small I-V nonlinear coefficient.
理论计算和实验结果表明：压敏电桥输出电压与温度成线性关系。
Theoretic computation and experimental results show that the output voltage is linear with temperature.
定义：压敏电压：压敏电阻的电流为1mA时所对应的电压作为I随U迅速上升的电压大小的标准，该电压用U1mA表示，称为压敏电压。 压敏ZnO陶瓷的导电机理：典型的ZnO陶瓷压敏电阻的I-U特性曲线一般可划分为预击穿区（Ⅰ），击穿区（Ⅱ）、回升区（Ⅲ）。预击穿区是外加电压低于压敏电压时，高非线性效应产生前，材料的晶界势垒越高，压敏电阻呈高阻特性，其高电阻主要来源于晶界，当外加电压达到压敏电压处于击穿区时，电阻将随电压的增加而急剧下降，晶界势垒逐渐被击穿，其电阻值主要由晶粒电阻决定，击穿区是在电压变化小而电流变化6～8个数量级，压敏电阻保持相当高的a值，回升区是在大电流区中，非线性再次下降，最终消失的特性区。压敏电阻在回升区的特性受ZnO陶瓷中的晶粒特性控制。
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