利用此种开关对 基于半导体断路开关(semiconductor opening switches,SOS)开关输 出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出高重复频率的超宽带 脉冲源。
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结果表明，正、反向泵浦时间是影响半导体断路开关特性的最主要因素。
The experimental results show that forward pumping time and reverse pumping time are important parameters for semiconductor opening switches.
基于SOS效应工作的半导体断路开关可以在纳秒级时间内关断大密度电流，因此可应用于电感储能的脉冲功率发生器。
Based on Semiconductor Opening switch (SOS) effect, the SOS can switch off current of great density within nanoseconds, which is applied to pulse power generator of inductive energy storage.
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