...型,模拟了一种带有Si钝化层和高k氧化物层的金属-氧化层-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的电学特性。
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...大学》 2005年 加入收藏 高耐压功率GaAs MESFET的研究与制备 陈宏江 【摘要】：砷化镓(GaAs)金属—半导体场效应晶体管(MESFET)是一种重要的GaAs器件,广泛的应用于无线通讯、信息技术和相控阵雷达等众多领域。
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...了一种带有Si钝化层和高k氧化物层的金属-氧化层-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的电学特性。
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...tors 半导体场效应晶体管 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ; MEtal-Semiconductor Field-Effect-Transistor 功率场效应晶体管 MOSFET ; Power MOSFET ; VDMOS ; VMOS ..
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高迁移率的P -沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。
High mobility P-channel power metal oxide semiconductor field effect transistors.
它的结构与普通金属—绝缘体—半导体场效应晶体管(MISFET)基本相同。
Its structure is the same as a conventional metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET).
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
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