河南大学物理与电子学院本科毕业论文 5 2.1.1 化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition，CVD)是利用气态先驱物，在 高温衬底表面或附近，通过原子、分子间的化学反应，生成薄膜的技术。
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金属化学气相沉积技术 Metal-organic Chemical Vapor Deposition ; MOCVD
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜。
A series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition at different substrate temperatures (T_s).
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜。
Microcrystalline silicon thin films prepared at different deposition parameters using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD).
等离子体化学气相沉积技术制备氢化硅薄膜工艺条件成熟稳定而成为薄膜制备的首选方法。
Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is the primary method which is used to prepare hydrogenated silicon film.
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