位错增殖是晶体中的位错在一定形式的运动中，自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度，从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。位错概念最初是在研究晶体的强度和范性时提出，后来引入到矿物学中。作为地球上各种物质运动的基本单位，矿物会“记录”某些地质事件，位错就是“记录”到的信息之一。
... multiplication capacity 增殖能力 dislocation multiplication 位错增殖 vector multiplication 矢乘法 ...
基于18个网页-相关网页
阻尼性能提高是由于组织细化、界面增多以及位错增殖所致。
It is because of microstructure refinement, an increase in boundaries and dislocation multiplication.
净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。
The net stress is a driving force of misfit dislocation multiplication and is a very important factor for strained MQWs stability.
多次冲击使原子易动性增强，临界切应力下降，位错易于启动和增殖。
Repeated impact can intensify the mobility of atom, reduce critical shear stress, and make the enablement and multiplication of dislocation easy.
应用推荐