的大小由负载决定但通过传输晶体管（pass transistor）提供。传输晶体管的栅极（我们这里假定是PMOS管距离）电压大小由误差放大器（即error amplifier）的输出控制。
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传输晶体管逻辑 Pass-Transistor Logic
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借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)传输特性的物理模型。
The high speed insulated gate bipolar transistor (IGBT) transport model is derived by ambipolar transport theory in this paper.
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