首先，对实验中所用到的热丝化学气相沉积（Hot Filament Chemical Vapor Deposition, HFCVD）设备进行了改造与设计。其次，以β-SiC和β-Si3N4晶体结构为基础，建立SiCN的基本模型。
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首先,对实验中所用到的热丝化学气相沉积（Hot Filament Chemical VaporDeposition,HFCVD）设备进行了改造与设计。其次,以β-SiC和β-Si3N4晶体结构为基础,建立SiCN的基本模型。
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（6）热丝化学气相沉积（HWCVD） 热丝化学气相沉积（HotWireChemical VaporDeposition，HWCVD）简称热丝 法，最初主要用于制备金刚石薄膜，近年来也被用于制备非...
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热丝化学气相沉积 HWCVD ; HFCVD ; hot filament chemical vapor deposition ; Hot Wire Chemical Vapor Deposition
热丝化学气相沉积法 HFCVD ; HWCVD ; HFCVD or HWCVD ; Hot filament chemical vapor deposition
丝化学气相沉积法 HFCVD ; Hot filament chemical vapor deposition ; Hot Wire Chemical Vapor Deposition
的热丝化学气相沉积 Hot filament chemical vapor deposition
热丝法化学气相沉积 HFCVD ; Hot filament chemical vapor deposition
丝法化学气相沉积 Hot filament chemical vapor deposition
采用热丝化学气相沉积生长出优异的金刚石薄膜。
High quality diamond thin films were grown by hot-filament chemical vapor deposition.
采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜。
Polycrystalline silicon thin films were prepared by hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD) on glass at low-temperatures.
在热丝化学气相沉积金刚石系统中，衬底温度是影响金刚石成膜质量的关键因素之一。
In HFCVD system the substrate temperature is a key factor which deeply affects the quality of diamond films.
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