在半导体硅单晶的制备中，大都是利用切克劳斯基（Czochralski）法来制备（简称CZ法），特别是目前太阳能级硅单品的生产中，几乎全部采用这种方法来制备硅单晶，以满足太阳能电池的需要。
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直拉法由学者切克拉尔斯基（Czochralski）于1916年发明，简称CZ法。又因为是在单晶炉中，由籽晶引晶从盛有硅熔体的石英坩埚中，垂直向上拉出硅单晶，也称直拉法。
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Czochralski method 切克劳斯基法 ; 柴氏拉晶法 ; 单晶提拉法
czochralski silicon 切克劳斯基法生长硅 ; 在直拉单晶硅 ; 直拉单晶硅 ; 直拉硅
Czochralski Technique 左克拉斯基技术 ; 丘克拉斯基法 ; 提拉法 ; 直拉法
czochralski grown ingot 切克劳斯基法生长晶体
liquid encapsulation czochralski process 液封直拉法
Czochralski Growth 晶柱成长
liquid encapsulation Czochralski method 液体密封切克劳斯基法 ; 液体老化测试系统
continuously-fed Czochralski 连续加料提拉法 ; 已收购连续加料提拉法 ; 以连续加料提拉法
Czochralski pulled 用丘克拉斯基法提拉的
Growth of Czochralski silicon crystals is the most common and perfect one in industry.
直拉法生长单晶硅是目前最常用最成熟的工业化方法。
Automatic diameter control (ADC) is an important procedure in the Czochralski pulling.
自动直径控制(adc)是直拉法单晶制造中的重要环节。
Finally, the mechanism of copper precipitation in as-grown Czochralski silicon is discussed.
最后，讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理。
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