- 1. 多位化: Multi-Bit per Cell
...陷产生的可能性,特别是越先进的工艺导致储存单元的节距越来越近,漏电明显,甚至采用单位记忆储存单元的多位化(Multi-Bit per Cell)的结构导致的良率与可靠性的下降,或者是对其进行擦写操作时可能产生数据错误,资料写入也可能导致电性改变,
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