• 1. Phase Change Memory: 相变存储器 | 相变内存 | 相变化内存 | 相变化存储器
• 2. chalcogenide phase-change memory: 硫化物相变存储器
• 3. phase change memory and switch: 相变储存器与开关

更多释义

• 1.The invention relates to a phase change memory.
  本发明有关于一种相变化存储器。
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• 2.Related one-time programmable devices, phase change memory devices and electronic systems are also disclosed.
  还公 开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。
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• 3.A phase change memory formed by a plurality of phase change memory devices having a chalcogenide memory region (28) extending over an own heater (26).
  一种由多个具有在自身的加热体(26)上方延伸的硫属化物存储区(28)的相变存储器件形成的相变存储器。
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