• 1. phase-change random access memory: 相变随机存储器 | 相变随机存储记忆体 | 存储器
• 2. phase change random access memory: 相变内存技术

• 1.Diode is considered to be the best driver of high-density phase change Random Access Memory (PCRAM) for its advantage of the cell area.
  由于二极管在单元尺寸上的优势，被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。
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