热化学气相沉积_网络释义

1. 热化学气相沉积: TCVD
CVD的工艺方法 • 热化学气相沉积（TCVD ）：指采用热催化方式进行的化学气相沉积。沉积温度较高，一般在800—1200℃左右。
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2. 热化学气相沉积: RTCVD-Rapid thermal chemical vapor deposition
目前主要的技术路线有快速热化学气相沉积(RTCVD-Rapid thermal chemical vapor deposition)、等离子增强化学气相沉积等。 () RTCVD技术具有沉积速度快、薄膜质(转34页) 万方数据万方数据统工程要进行统一设计、统一...
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3. 快速热化学气相沉积: RTCVD

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4. 快速热化学气相沉积: Rapid Thermal CVD

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5. 快速热化学气相沉积: rapid thermal chemical vapor deposition

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6. 热化学气相沉积法: Thermal CVD

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7. 热化学气相沉积法: thermal chemical vapor deposition

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8. 热化学气相沉积法: HCVD

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9. 热化学气相沉积法: TCVD

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10. 快热化学气相沉积: RTCVD

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