The structure and fabrication of double-insulation layer tunnel junction(MIMIS) are introduced.
介绍了一种新型光电器件，即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备。
The structure, fabrication technology and light emission properties of double barrier MIMIS tunneling junction are discussed.
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体 （MIMIS）隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。
The structure, fabrication technology and light emission properties of double barrier MIMIS tunneling junction are discussed.
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体 （MIMIS）隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。
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