在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。
Source and drain regions in the semiconductor may define a transistor gate length.
表面处理方法，晶体基材，和半导体设备。
Method of surface treatment, crystal substrate, and semiconductor device.
由此，无论晶体管为何种类型，半导体器件都可以增强电流供应能力。
Thus, the semiconductor device can enhance current supply capacity regardless of transistor type.
由此，无论晶体管为何种类型，半导体器件都可以增强电流供应能力。
Thus, the semiconductor device can enhance current supply capacity regardless of transistor type.
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