Disclosed herein are a method of forming a stable phase change layer without generating seams, and a method of manufacturing phase change memory device using the same.
本文公开了一种形成不产生接缝的稳定的相转变层的方法以及制造使用所述相转变层的相转变存储器件的方法。
Disclosed herein are a method of forming a stable phase change layer without generating seams, and a method of manufacturing phase change memory device using the same.
本文公开了一种形成不产生接缝的稳定的相转变层的方法以及制造使用所述相转变层的相转变存储器件的方法。
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