Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, high carrier mobility transistor and light emitting device.
半导体器件，半导体器件制造方法，高载流子迁移率晶体管和发光器件。
A semiconductor device structure (10) uses two semiconductor layers (16 & 20) to separately optimize N and P channel transistor carrier mobility.
一种半导体器件结构（10），其使用两个半导体层（16&20）以分别优化N和P沟道晶体管载流子迁移率。
High - Electron Mobility Transistor?
高电子活动性晶体管HEMT ？
High - Electron Mobility Transistor?
高电子活动性晶体管HEMT ？
应用推荐