At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过， 令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设备》。
At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过， 令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设备》。
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