Under hot carrier stress, device degradation is the consequence of hot carrier induced defect generation locally at drain side.

在热载流子应力条件下，器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。

youdao

Under hot carrier stress, device degradation is the consequence of hot carrier induced defect generation locally at drain side.

在热载流子应力条件下，器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。

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