In one aspect, selective fluorine ion implantation is employed when developing HEMTs to create the enhanced back barrier structures.
在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。
In one aspect, selective fluorine ion implantation is employed when developing HEMTs to create the enhanced back barrier structures.
在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。
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