For gate oxide breakdown OTP memory, we present a viable NOR array structure and current sense amplifiers.
针对栅氧化层击穿otp存储单元提出了可行的阵列结构和电流敏感放大器。
TDDB(time-dependent dielectric breakdown)is a key method to value the quality of thin gate oxide.
经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。
TDDB(time-dependent dielectric breakdown)is a key method to value the quality of thin gate oxide.
经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。
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