This dynamic body discharge technique eliminates body potential mismatches of PD SOI CMOS devices, achieving repeatable low threshold voltage and fast SRAM access time.

这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOICMOS器件体电位不匹配的问题，得到了可重复性低阈值电压，提高了SRAM的读取速度。

youdao

This dynamic body discharge technique eliminates body potential mismatches of PD SOI CMOS devices, achieving repeatable low threshold voltage and fast SRAM access time.

这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOICMOS器件体电位不匹配的问题，得到了可重复性低阈值电压，提高了SRAM的读取速度。

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