在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性。
Base emitter metal self aligning, air bridge, and wafer thinning are used to improve microwave power performance.
在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性。
Base emitter metal self aligning, air bridge, and wafer thinning are used to improve microwave power performance.
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