此外，我们也在(110)方向的矽基板上作了相同的实验，并且讨论其在双轴的伸展应力下金氧半电容的平带电压的移动情况。

Moreover, we done the same experiment on the (110) orientation Si and discuss flat-band voltage shift of MOS capacitor under biaxial strain.

youdao

此外，我们也在(110)方向的矽基板上作了相同的实验，并且讨论其在双轴的伸展应力下金氧半电容的平带电压的移动情况。

Moreover, we done the same experiment on the (110) orientation Si and discuss flat-band voltage shift of MOS capacitor under biaxial strain.

youdao