• 结果表明这种结构具有击穿电压电阻漂移电荷平衡特点。

    The new structure features high breakdown voltage, low on-resistance , and charge balance in the drift region.

    youdao

  • 在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比电阻。

    This structure is suitable for breakdown voltage below 300V to obtain ultra-low specific on-resistance.

    youdao

  • 在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比电阻。

    This structure is suitable for breakdown voltage below 300V to obtain ultra-low specific on-resistance.

    youdao

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- 来自原声例句
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