这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。
The higher value is comparable to those obtained in CVD epitaxy.
首先优化设计了器件结构，并利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）进行了器件的外延生长。
The device structure is optimized firstly, then the structure is grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
首先优化设计了器件结构，并利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）进行了器件的外延生长。
The device structure is optimized firstly, then the structure is grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
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