存储单元和数据线用复位信号来控制，以使数据可在该半导体器件中被可靠地输出。
A memory cell and a data line are controlled with a reset signal, so that data can be reliably outputted in the semiconductor device.
本申请公开了一种单元非易失性半导体存储器件，用于存储两位信息。
The present application discloses a single cell non-volatile semiconductor memory device for storing two-bits of information.
在一个实施例中，所述半导体器件包括具有多个NFET(110)和多个PFET(112)的静态随机存取存储器(SRAM)单元。
In one embodiment, the semiconductor device includes a static random access memory (SRAM) cell having numerous NFETs (110) and PFETs (112).
在一个实施例中，所述半导体器件包括具有多个NFET(110)和多个PFET(112)的静态随机存取存储器(SRAM)单元。
In one embodiment, the semiconductor device includes a static random access memory (SRAM) cell having numerous NFETs (110) and PFETs (112).
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