在一个实施例中，所述半导体器件包括具有多个NFET(110)和多个PFET(112)的静态随机存取存储器(SRAM)单元。

In one embodiment, the semiconductor device includes a static random access memory (SRAM) cell having numerous NFETs (110) and PFETs (112).

youdao

在一个实施例中，所述半导体器件包括具有多个NFET(110)和多个PFET(112)的静态随机存取存储器(SRAM)单元。

In one embodiment, the semiconductor device includes a static random access memory (SRAM) cell having numerous NFETs (110) and PFETs (112).

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