在第一抛光步骤(S20)中，用含氯抛光剂抛光该化合物半导体衬底。
In the first polishing step (S20), the compound semiconductor substrate is polished with a chloric polishing agent.
一种方法，其使用纳米结构柔性层，利用HVPE在异质衬底(10)上生长高质量的平且厚的化合物半导体(15)。
A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers.
一种方法，其使用纳米结构柔性层，利用HVPE在异质衬底(10)上生长高质量的平且厚的化合物半导体(15)。
A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers.
应用推荐