但由于绝缘埋层的引入，使得材料本身的抗总剂量辐照能力反而不如体硅材料。
But due to an insulating layer in its structure, the tolerance of total dose irradiation of SOI is poorer than normal silicon material.
为了解决SOI材料的抗辐照总剂量问题，我们提出使用氮氧共注入形成的多埋层SOIM新结构。
To deal with this problem, we put a new SOIM structure forward as a candidate.
为了解决SOI材料的抗辐照总剂量问题，我们提出使用氮氧共注入形成的多埋层SOIM新结构。
To deal with this problem, we put a new SOIM structure forward as a candidate.
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