制造工艺方面
本项目采用离子注入结构制造工艺的VCSEL作为光源。其主要特点是通过选择注入法将离子注入半导体材料中某一深度,控制注入的能量和离子质量,可以制作出确定的绝缘区域,形成高阻区,实现对注入电流的控制,进而实现横向电流控制,另外还具有较好的热耗散,器件制作和封装非常简单等优点。等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究 研究等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石上生长的ZnO薄膜退火后的特性变化,通过电参数测量和利用X光衍射、光致发光光谱方法对ZnO薄膜进行了表征。测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm。这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高。
研究材料
根据军用指挥计算机机壳的多样性,小批量要求,在“八五”研制的基础上,采用一种全新的工艺路线,以达到低成本、高成品率的要求。
技术关键:
(1)以直流间歇式磁控溅射仪溅射出铜-镍,不锈钢-铜-不锈钢、铝等膜层,在14KHz-1GHz范围内实现屏蔽60db以上的屏蔽要求;在1GHz-1.5GHz范围内实现50db以上的屏蔽要求。
(2)金属膜层与基体塑料以及金属膜层间的结合牢固。
主要内容:
(1)建立一套溅射金属膜层的溅射设备
(2)研究膜层均匀性、厚度、粒度及反射性能等对电磁屏蔽性能的影响。
(3)研究掩蔽方法,预处理工艺及磁控溅射参数等对电磁屏蔽性能的影响。
(4)研究膜层的环境适应性及导电性能等。