加负电压（或零偏压）时，PIN管等效为电容+电阻；加正电压时，PIN管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择PIN二极管参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加
负电压（或0偏置）的PIN管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。
图1给出了PIN二极管在正向导通时的电荷分布情况．为简化起见，我们假设I区域中电子与空穴分布对称且分布密度相同．设x=－d处的空穴分布密度为p1，在[－d,0]区域中的剩余空穴电荷为q2，且位于x=－d/2处，这样此区域的平均空穴密度为：p2=q2/qAd．这里A为结面积，q为单位电荷．
由于P+区域的空穴密度远大于电子密度，这样在x=－d处的电子电流可以忽略(所引起的误差将在下文讨论)．二极管的电流密度可以表示为[9]
二极管的电流为
式(2)及式(3)描述了二极管的模型，通过定义qE=2q1， qM=2q2及T=d2/2Da，两式可简化为
图2表示了在感性负载时二极管的关断过程．此过程可分为两个阶段：从t=T0到t=T1，二极管处于低阻抗状态，其电压近似为0，在t=T1时刻，二极管中I区域边缘的剩余电荷变为0，二极管开始呈现高阻抗状态．在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1时刻后二极管的电流为
其中 τ?rr由式(7)给出，I?rr为反向恢复电流峰值．
一般情况下，t?rr、I?rr及测试条件di/dt、I?FM均在器件的产品手册上列出．根据式(6)及测试条件，τ?rr可由下式获得
根据图2所示的反向电流波形，qM在t≤T1阶段的表达式为
当t=T1时，i（T1）=－I?rr=－qM（T1）/T，代入上式得式(10)，τa可由此式解出
然后参数T可由τa、T及τ?rr的关系式(7)算出．
从以上的讨论可以看出，该模型的参数可以方便地从产品手册中得到：首先由式(8)计算τ?rr，再从式(10)解得τa，最后由式(7)决定参数T。
