1956年6月15日生于浙江上虞，1982年在江苏省徐州师范大学获理学学士学位，1985-1988年在中国科学技术大学攻读硕士学位，获理学硕士学位，1988年底到英国阿伯丁大学攻读博士学位，1992年获博士学位。1992年到1997年在英国剑桥大学物理系卡文迪许实验室从事博士后研究，包括超薄薄膜的生长机理，纳米结构，微磁结构，薄膜器件的结构和磁性等多方面的研究。1997年底至2002年初，受聘于英国牛津仪器公司科研部，任高级工程师，从事薄膜生长,纳米结构，薄膜物理性质和超导器件等方面的研究。2002年初开始在英国Strathclyde大学光电研究所工作。2002年11月受聘为

“长江学者奖励计划”聘教授，武汉理工大学博士生导师。

顾而丹博士1992年至1996年底受聘于英国剑桥大学卡文迪许实验室，从事磁性薄膜外延生长、薄膜的微磁结构和器件方面的研究。1997年起受聘于英国牛津仪器公司研究部，担任高级研究工程师，后又受聘于斯特拉思克莱德大学继续进行薄膜生长、纳米结构、薄膜物理和器件等方面的研究。他在稀土薄膜和多层膜研究领域，系统研究了薄膜的微结构和生长条件的关系。发现了制备超薄纯稀土膜的新方法。在外延磁性薄膜和器件研究方面，在世界上首次研究和阐述了外延铁膜和外延铁膜微粒的微磁结构和微磁结构对微粒的尺度及取向的依赖关系。对于Co/Cu(110)外延体系，首次观察到一个由于外延钴粒子扩散引起的磁相变并发现了一种调控外延超薄磁膜磁各向异性的新方法。对于Co/GaAs(001)外延体系，研究了钴膜微结构随厚度的变化。在此研究的基础上，首次正确阐述了这个外延体系的磁各异性和微结构的关系。在超导薄膜和器件方面，研究和发现了一种调控超导Iridium薄膜转变温度的新方法。并应用这个新方法，研究和制作了世界上第一个基于Ir膜结构的一维单光子TES探测器。另外，在英国牛津大学的资助下，研制成功了具有最小电流噪音的超导量子干涉器件。先后在《物理评论快报》、《应用物理快报》，《物理评论》等国际一流物理刊物上发表了约一百篇论文，并多次在重要的国际会议上做报告。

顾而丹教授和研究梯队主要从事薄膜生长，薄膜物理性质和薄膜器件等方面的研究。研究梯队由多名具有不同学术背景和研究经验的教授和副教授组成。为进一步推动薄膜器件的研究工作，在复合新材料国家重点实验室和光纤中心的支持下，顾而丹教授和梯队同时在建设学校一级具有国际先进水平的微机电和微光电器件研究中心。该研究中心已先后购置安装了超深紫外双激光微加工机和超高真空双腔薄膜生长系统等现代化大型设备和其他配套设备。该研究中心已经具有一定规模，并已经开始获得了一批创新性科研成果。2005年获湖北省科技进步奖二等奖一项。

1、利用超高真空蒸发设备，同步辐射EXAFS，X射线衍射和高分辨电镜等手段，系统得研究和阐明了稀土薄膜的成核，生长机理，薄膜微结构和生长条件的关系。

2、研究了金属多层膜在X射线光学上的应用。提出了一个增加软X射线反射器带宽的新设计。

3、利用洛伦兹电镜和磁光克尔效应等手段，在世界上首次揭示了外延铁膜微粒的微磁结构和其对微粒的尺度，取向和磁化条件的依赖关系。

4、发现和证明了在Co/GaAs(001)外延体系里，钴的稳定相是双取向的六方结构而不是以前一致认为的体心结构。并正确解释了其磁性质对其结构的依赖关系。

5、对于Co/Cu(110)外延微粒阵列体系，首次观察到一个由于外延钴粒子扩散引起的磁相变。并发现此类体系具有可控的磁特性。

6、研究和制作了新型薄膜超导器件像超级超导量子干涉器(SQUID)和超导转变温度传感器(TES)。

以上这些研究成果曾在国际会议上宣读，并已发表在《物理评论快报》，《物理评论》等国际物理刊物上。有些成果已申请了专利。