[2] 高电子移动率电晶体 (HEMT)：一种场效应晶体管，其特点是处于两种不同带隙材料结合部的电子要比通常的掺杂半导体里的电子的移动速度更快。
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High Electron Mobility Transistor
... RFMD推出GaN高功率电晶体系列产品 RFMD发表其Gallium Nitride (GaN)高电子移动率电晶体(High Electron Mobility Transistor，HEMT)高功率电晶体产品系列，并宣布已提供样品予多家手机厂商及WiMAX基地台客户。
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