利用一次光刻和多次注入，既做出了LDMOS的体区，又实现了线性梯度漂移区，同时为了增强RESURF(降低表面电场)效果，也在靠近源端的漂移区下方，做有与漂移区掺杂类型相反的杂质(通过在敷设掩膜层之前的普注实现)，从而获得较高的击穿电压和...
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降低表面电场原理 RESURF
原意为降低表面电场 Reduced SURface Field
双重降低表面电场 double RESURF
降低表面电场
Reduce surface electric field
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