错误相关负电位(ERN)是亨件相关电位的一个负成分,出砚在大脑错谈反应后50～100ma,产生于大脑前扣带in皮质(ACC),可以反映大脑的错误检侧、冲突监控、强...
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...杨卫敏,肖泽萍,张敏,李惠,唐莺莹,王继军 摘要： 目的 比较强迫症和精神分裂症患者的错误相关负电位(error-related negativity,ERN).
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短语
的错误相关负电位
ERN
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Error Related Negativity
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