GaSb 是一种Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体材料, 对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs , InP 等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣, 这主要是光纤通信技术的发展, 对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗, 总是尽可能采用较长波长的光, 最早使用0 .8μm 波长的光, 使用1 .55 μm 波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2 ～ 4)μm 的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ -Ⅴ族材料中,GaSb 作为衬底材料引起了更多的注意, 因为它可以与各种Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配, 这些材料光谱的范围在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之间, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8 ～ 14)μm 范围的探测器。 GaSb 基材料制造的器件除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外, 在其他领域也有很大的潜在应用价值, 如制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件, 用于火灾报警和环境污染检测的传感器, 监测工厂中腐蚀气体(如HCl 等)和有毒气体的泄漏的传感器等。