铟镓磷化物 ( InGaP ) 是a 组成由 , 和 . 它被使用在威力强大和高频率电子由于它的优越电子速度谈到更加共同的半导体 和 .
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科学家最终发现了适合水下作业的高级的铟镓磷化物（GaInP）电池，其波长介于400至700纳米（可见光）时拥有高量子效率，能够确保在低照度条件下的高效率。
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铝铟镓磷化物 AlInGaP II
铟镓磷化物
Indium gallium phosphide
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Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
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