金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。
高迁移率的P -沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。
High mobility P-channel power metal oxide semiconductor field effect transistors.
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
一种半导体器件，可以包括至少一个金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。
A semiconductor device may include at least one metal oxide field-effect transistor (MOSFET).
金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。
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