当金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件按比例缩小到50nm以下时，要求基于高-k金属栅(HkMG)的栅堆叠，以解决因多晶硅栅电极耗尽引起的栅漏电流大和栅电容减小的问题。
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gate first 与 gate last指的是metal gate （金属栅）的制造顺序。就现在的工艺而言，high-k gate dielectric都是和metal gate一起使用的。
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高k金属栅（High-k Metal Gate）是45nm以下工艺中解决晶体管漏电问题的关键技术。英特尔在45nm工艺中已经用到了该技术，并圆满地解决了漏电问题。
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梅塔孔塔系统(一种交换系统) Metaconta system 金属栅 metal grating 金属积体半导体场效晶体管 Metal Integrated-Semi-conductor Field Effect Transistor (MISFET) ..
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