...效应 ［1］ ； 1980年， von Klitzing 在硅的金属 - 氧化物 - 半导体场效应管 （ MOSFET ）中首次观测到整数量子霍尔效应 （ QHE ） ［2］ ，霍尔电导 σxy＝ne 2 ／ h （ n是整数）是量 子化的， σxy 对样品的大小、形状、载流子密度甚至 迁移率均不敏感，这...
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霍尔效应 Hall Effect 量子霍尔效应 quantum hall effect ; effect, quantum Hall ; QHE ; Quantum Effects 分数量子霍尔效应 fractional quantum hall effect ; FQHE ..
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分数量子霍尔效应 fractional quantum hall effect ; FQHE
整数量子霍尔效应 integer quantum Hall effect
所谓量子霍尔效应 Quantum Hall Effect
常量子霍尔效应 Anomalous Quantum Hall Effect
反常量子霍尔效应 anomalous quantum Hall effect
量子自旋霍尔效应 Quantum Spin Hall Effect
量子化霍尔效应 QHE ; Quantum Hall effect
量子反常霍尔效应 QAHE ; Quantum Anomalous Hall Effect
交流量子化霍尔效应 ac quantum hall effect
它很薄，这也赋予了它不同寻常的电学性能，如置于磁场中它会表现出相对量子霍尔效应。
Its thinness, too, gives it unusual electrical properties.One of these is that if it is placed in a magnetic field it exhibits a phenomenon known as the relativistic quantum Hall effect.
特别详细地讨论了任意子理论在分数量子霍尔效应和高温超导电现象中的应用。
Also the elementary theory and the application of anyon in Fractional Quantum Hall Effect and High Temperature Superconductivity are discussed in detail.
近几年，随着对量子霍尔效应和弦理论的研究，越来越多的非对易背景上的物理学问题引起人们的重视。
In the recent year, more and more physical problems on the noncommutative background are regarded as important for people with the study of the quantum Hull Effect and the string theory.
K. Von Klitzing，G. Dorda，M. Pepper于1979年发现，霍尔常数（强磁场中，纵向电压和横向电流的比值）是量子化的，RH＝V/I＝h/νe2，ν＝1，2，3，……。这种效应称为整数量子霍尔效应。进而,AT&T的D. Tsui、H. Stormer和A.Gossard发现，随着磁场增强，在v＝1/3,1/5,1/7…等处，霍尔常数出现了新的台阶。这种现象称为分数量子霍尔效应。 R. Laughlin 给出了解释，他认为，由于极少量杂质的出现，整数v个朗道能级被占据，这导致电场与电子密度的比值B/ρ为h/ev，从而导致霍尔常数出现台阶。他还指出，由于在那些分数占有数处，电子形成了一种新的稳定流体，正是这些电子中的排斥作用导致了分数量子霍尔效应。
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