重掺杂硅单晶
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Heavily doped silicon single crystal
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研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响。
The effect of dopants on oxygen precipitation and induced defects in heavily doped Czochralski (CZ) silicon is investigated.
youdao
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