近红外光（Near Infrared，NIR）是介于可见光（ⅥS）和中红外光（MIR）之间的电磁波，按ASTM（美国试验和材料检测协会）定义是指波长在780～2526nm范围内的电磁波，习惯上又将近红外区划分为近红外短波（780~1100nm）和近红外长波（1100~2526nm）两个区域。近红外区域是人们最早发现的非可见光区域。
...条件下提供更好和更远距离的成像。尽管在某些应用中仍然需要低级别的LED来增加NIR，但是与高功耗的LED相比，它们功耗更小并且不太可能对用户产生干扰。 此外，近红外(NIR)是低光和夜视应用的理想选择，例如智能家居安防监控系统或环视汽车成像系统。
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...cation research 第1 章 绪论 1 第1 章 绪论 1.1 近红外 光谱简介 按美国试验与材料学会(ASTM)定义 近红外 ( Near Infrared NIR )是指波长 在 780~2526nm 范围内的电磁波 习惯上又将 近红外 光划分为短波 780~1000nm 和长波 1100~2526nm 两个区域 [1] 其光...
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记得有些三波段分光光度计UV-VIS-NIR（近红外），就是采用的双检测器，对近红外区的检测是用另一种检测器，比如PbS检测器。像光电检测器都有光谱峰值波长这个技术指标。
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近红外光谱 NIR ; near infrared spectroscopy ; near infra-red spectrum ; near infrared spectra
近红外线 near infrared ; Near IR
近红外光 NIR ; near infrared ; near-infrared light ; NEAR-IR
近红外分析装置 Fourier Transform Near Infrared Spectrometer
近红外反射光谱 NIRS ; near infrared reflectance spectroscopy
近红外光谱仪 NIRS ; NEAR INFRARED SPECTROMETER ; near infrared spectroscopy ; Nicolet ANTARIS
近红外光及荧光 Red and NIR fluorescence applications
近红外光谱法 NIRS ; Near infrared spectroscopy ; Near Infrared Spectrophotometry ; Near infrared reflectance spectroscopy
近红外遥感 near infrared rangeremote sensing ; nearinfraredrangeNIRremotesensing
Therefore, clear near-IR absorption spectra from 7 400 to 4 000cm-1 could beobtained.
因此，能获得7400cm-1至4000cm-1频率范围内清晰明确的近红外光谱。
参考来源 - 使用带近红外光纤探头附件红外光谱仪鉴定翡翠B货The near-infrared fluorescent probe and its application in biological analysis are reviewed.
本文评述了自1999年以来近红外荧光探针和标记试剂及其在生物分析中的应用进展。
参考来源 - 近红外荧光探针及其在生物分析中的应用进展This paper studied the prepare technics of the near-IR reflect-material.
本文首先研究了近红外热反射材料的制备工艺。
参考来源 - 近红外反射节能涂料的研究和应用·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
电磁辐射是另一种常见的数据集(例如，近红外辐射或可见光)。
Electromagnetic radiation is another common dataset (for example, near-infrared radiation or visible light).
研究人员们使用仅仅超出可见光谱红端的近红外辐射测试他们的新“黑材料”。
The researchers tested their new black material with near-infrared radiation, just beyond the red end of the visible spectrum.
材料的物理性质有助于确定哪一种波长的光可以被完全吸收，对于最初的硅器件来说，吸收点在近红外。
The physical properties of the material help determine which wavelengths of light will be perfectly absorbed; for the initial silicon device the sweet spot is in the near infrared.
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