电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。
早期非晶硅局限于逻辑开关与低分辨率面板的应用，低温多晶硅薄膜晶体管凭借着较高的载流子迁移率(Field Effect Mobility)，可以适当集成驱动电路于面板中，连线信号的减少降低外贴驱动IC、电路板面积与周边零组件的使用，减小了面板整体重量与体积，而...
基于12个网页-相关网页
公布 中文名称：载流子迁移率 英文名称：mobility of current carrier 定义：载流子在电场作用下其漂移速度与电场强度的比例系数。 应用学科： 材料科学技术（一级学科）；材料科学技术基础（二级学科）； 材料科学基础（二级学科）
基于8个网页-相关网页
高载流子迁移率 high carrier mobility
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
同时，本发明的结构能增进在半导体元件中的电荷载流子迁移率。
At the same time, the structure of this invention can improve the electric load current carrier migration rate in the semiconductor component.
本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量。
This method has been successfully applied to the measurements of impurity compensation and carrier mobility on high resistivity silicon materials.
半导体器件，半导体器件制造方法，高载流子迁移率晶体管和发光器件。
Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, high carrier mobility transistor and light emitting device.
应用推荐