耿氏效应
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耿氏效应二极管 gunn effect diode
耿氏效应掐 gunn effect device
耿氏效应集成电路 gunn effect integrated circuit ; gunn effect accommodated circuit
耿氏效应装置 gunn effect device
Gunn effect
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耿氏效应（Gunn effect）是 1963年，由耿氏(J．B．Gunn) 发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时，便产生微波振荡。在N型砷化镓薄片的二端制作良好的欧姆接触电极，并加上直流电压使产生的电场超过 3kV/cm时，由于砷化镓的特殊性质就会产生电流振荡，其频率可达10^9Hz，这就是耿氏二极管。这种在半导体本体内产生高频电流的现象称为耿氏效应。
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